IPD048N06L3GBTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 7011
說明：: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

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IPD048N06L3GBTMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：115W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8400 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 58μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 90A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：90A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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