色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPC70N04S5L4R2ATMA1

IPC70N04S5L4R2ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-34
數(shù)量：: 6561
說明：: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

一、本商品被瀏覽0次.

IPC70N04S5L4R2ATMA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 17μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 35A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：不適用于新設計
包裝：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPC70N04S5L4R2ATMA1的詳細信息，包括IPC70N04S5L4R2ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：