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IPBH6N03LA

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 2817
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

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IPBH6N03LA-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPBH6N03LA PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 30µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2390pF @ 15V
功率 - 最大：71W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPBH6N03LA的詳細信息，包括IPBH6N03LA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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