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IPB80P04P4L08ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 6507
說明：: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

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IPB80P04P4L08ATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：75W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5430 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：92 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 120μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.9 毫歐 @ 80A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB80P04P4L08ATMA1的詳細信息，包括IPB80P04P4L08ATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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