色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 6156
說明：: MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A

一、本商品被瀏覽0次.

IPB80N06S2L-H5 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPB80N06S2LH5ATMA1 IPB80N06S2LH5XT SP000219068
典型關閉延遲時間：75 ns
上升時間：23 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：22 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.5 m Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB80N06S2L-H5的詳細信息，包括IPB80N06S2L-H5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：