色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB80N03S4L03

IPB80N03S4L03

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 5967
說明：: MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPB80N03S4L03 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：37 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：6 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 m Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB80N03S4L03的詳細信息，包括IPB80N03S4L03廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：