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IPB65R660CFDATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數量：: 8422
說明：: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK

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IPB65R660CFDATMA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：615 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：660 毫歐 @ 2.1A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：停產
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB65R660CFDATMA1的詳細信息，包括IPB65R660CFDATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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