色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPB45N06S4-09

IPB45N06S4-09

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 2169
說明：: MOSFET N-Channel 60V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

IPB45N06S4-09 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：IPB45N06S409ATMA1 IPB45N06S409ATMA2 SP000374315
典型關閉延遲時間：20 ns
上升時間：40 ns
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：36 nC
下降時間：5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.2 mOhms
漏極連續電流：45 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB45N06S4-09的詳細信息，包括IPB45N06S4-09廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ

STD5N80K5

IPD055N08NF2SATMA1