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IPB22N03S4L15ATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO263-3-2
數(shù)量：
 234  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
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IPB22N03S4L15ATMA1-PG-TO263-3-2圖片

IPB22N03S4L15ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：31W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：980 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 10μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：14.6 毫歐 @ 22A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣(mài)
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB22N03S4L15ATMA1的詳細(xì)信息，包括IPB22N03S4L15ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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