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IPB180N03S4L-H0

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-7
數量：: 7200
說明：: MOSFET N-Channel 30V MOSFET

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IPB180N03S4L-H0 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB180N03S4LH0XT SP000555050
典型關閉延遲時間：38 ns
上升時間：24 ns
功率耗散：188 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：135 nC
下降時間：41 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.3 mOhms
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB180N03S4L-H0的詳細信息，包括IPB180N03S4L-H0廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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