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IPB080N06N G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO263-3-2
數(shù)量：
 1571  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 80A
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IPB080N06N G-PG-TO263-3-2圖片

IPB080N06N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB080N06NGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：32 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB080N06N G的詳細(xì)信息，包括IPB080N06N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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