色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

IPB009N03L G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 2564  
說明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 180A
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
IPB009N03L G-TO-263圖片

IPB009N03L G PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:IPB009N03LGATMA1 IPB009N03LGXT SP000394657
典型關閉延遲時間:103 ns
工廠包裝數量:1
上升時間:14 ns
功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:22 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):700 mOhms
漏極連續電流:180 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPB009N03L G的詳細信息,包括IPB009N03L G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 乃东县| 区。| 孙吴县| 峨边| 措勤县| 交口县| 台北县| 察雅县| 洛隆县| 西充县| 建德市| 滨海县| 英超| 德格县| 靖江市| 武清区| 成武县| 永城市| 太湖县| 宝鸡市| 嘉峪关市| 嘉黎县| 湖南省| 昭平县| 宿迁市| 中宁县| 佛山市| 辽阳市| 永福县| 余干县| 乌拉特后旗| 安康市| 东安县| 伊宁市| 宾川县| 南昌市| 台南市| 漯河市| 张家口市| 噶尔县| 德安县|