點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
發射極 - 基極電壓 VEBO：12 V
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：300 mW
峰值直流集電極電流：600 mA
集電極—發射極最大電壓 VCEO：20 V
直流集電極/Base Gain hfe Min：820
封裝形式：SMT-6
安裝風格：SMD/SMT
典型輸入電阻器：4.7 KOhms
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：開關晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：ROHM Semiconductor
以上是IMH23T110的詳細信息，包括IMH23T110廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
