色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IKD06N60RAATMA1

IKD06N60RAATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數量：: 1377
說明：: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

一、本商品被瀏覽0次.

IKD06N60RAATMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：68 ns
測試條件：400V，6A，23 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：12ns/127ns
柵極電荷：48 nC
輸入類型：標準
開關能量：110μJ（開），220μJ（關）
功率 - 最大值：100 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，6A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：18 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：12 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態(tài)：停產
包裝：TrenchStop?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IKD06N60RAATMA1的詳細信息，包括IKD06N60RAATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

DF80R12W2H3FB11BPSA1

F3L150R07W2E3B11BOMA1

NXH50C120L2C2ESG

DF100R07W1H5FPB53BPSA2