色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IGZ75N65H5XKSA1

IGZ75N65H5XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-4
數(shù)量：: 6651
說明：: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4

一、本商品被瀏覽0次.

IGZ75N65H5XKSA1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-4
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：-
測試條件：400V，37.5A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：26ns/347ns
柵極電荷：166 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：680μJ（開），430μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：395 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：119 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchStop? 5
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IGZ75N65H5XKSA1的詳細信息，包括IGZ75N65H5XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：