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IDW10G65C5XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-3
數(shù)量：: 3177
說明：: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

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IDW10G65C5XKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-TO247-3
封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：300pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：180 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io)：10A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：CoolSiC?+
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IDW10G65C5XKSA1的詳細(xì)信息，包括IDW10G65C5XKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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