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IDK16G120C5XTMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO263-2-1
數(shù)量:
 3186  
說明:
 DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1
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IDK16G120C5XTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:PG-TO263-2-1
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:730pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:80 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr):-
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.95 V @ 16 A
電流 - 平均整流 (Io):40A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolSiC?+
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

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