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IDH12G65C6XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-2
數量：: 3069
說明：: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220-2

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IDH12G65C6XKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：PG-TO220-2
封裝/外殼：TO-220-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：594pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 420 V
反向恢復時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 12 A
電流 - 平均整流 (Io)：27A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IDH12G65C6XKSA1的詳細信息，包括IDH12G65C6XKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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