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IDB10S60C

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 6840
說明：: 肖特基二極管與整流器 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode

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IDB10S60C PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IDB10S60CATMA1 IDB10S60CXT SP000411540
工廠包裝數(shù)量：1000
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
工作溫度范圍：- 55 C to + 175 C
最大反向漏泄電流：140 uA
正向電壓下降：1.7 V
配置：Single
最大浪涌電流：76 A
正向連續(xù)電流：10 A
峰值反向電壓：600 V
產(chǎn)品：Schottky Silicon Carbide Diodes
RoHS：是
產(chǎn)品種類：肖特基二極管與整流器
制造商：Infineon

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