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HUF75631SK8

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 8163  
說明:
 MOSFET USE 512-FDS3682
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HUF75631SK8-SOIC-8 Narrow圖片

HUF75631SK8 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:39 ns
工廠包裝數量:98
上升時間:23 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.039 Ohms
漏極連續電流:5.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HUF75631SK8的詳細信息,包括HUF75631SK8廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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