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HN1B01FDW1T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-74-6
數量：: 10125
說明：: 兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

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HN1B01FDW1T1G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：380 mW
集電極連續電流：0.2 A
封裝形式：SC-74-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
最大直流電集電極電流：0.2 A
集電極—射極飽和電壓：60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是HN1B01FDW1T1G的詳細信息，包括HN1B01FDW1T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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