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HN1B01FDW1T1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SC-74-6
數量:
 10125  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary
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HN1B01FDW1T1G-SC-74-6圖片

HN1B01FDW1T1G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:380 mW
集電極連續電流:0.2 A
封裝形式:SC-74-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:200 at 2 mA at 6 V
最大直流電集電極電流:0.2 A
集電極—射極飽和電壓:60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:NPN/PNP
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ON Semiconductor

以上是HN1B01FDW1T1G的詳細信息,包括HN1B01FDW1T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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