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HGT1S3N60A4DS

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB-3
數量：: 2349
說明：: IGBT 晶體管 TO-263

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HGT1S3N60A4DS PDF參數資料

中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：17 A
封裝形式：TO-263AB-3
最大工作溫度：+ 150 C
在25 C的連續集電極電流：17 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S3N60A4DS的詳細信息，包括HGT1S3N60A4DS廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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