色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 1296
說明：: IGBT 晶體管 14a 380V Logic Level

一、本商品被瀏覽0次.

HGT1S14N36G3VLT PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：HGT1S14N36G3VLT_NL
工廠包裝數(shù)量：800
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 40 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：18 A
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-262AA-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：100 W
柵極—射極漏泄電流：100 A
在25 C的連續(xù)集電極電流：18 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 10 V
集電極—射極飽和電壓：20 A
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：24 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S14N36G3VLT的詳細信息，包括HGT1S14N36G3VLT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：