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GT40WR21,Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-3P(N)
數量:
 945  
說明:
 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
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GT40WR21,Q-TO-3P(N)圖片

GT40WR21,Q PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
工作溫度:175°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):-
測試條件:-
25°C 時 Td(開/關)值:-
柵極電荷:-
輸入類型:標準
開關能量:-
功率 - 最大值:375 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):5.9V @ 15V,40A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):80 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1350 V
IGBT 類型:-
產品狀態:在售
包裝:-
系列:托盤
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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