GT30J65MRB,S1E

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 1036
說(shuō)明：: 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

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GT30J65MRB,S1E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：200 ns
測(cè)試條件：400V，15A，56 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：75ns/400ns
柵極電荷：70 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：1.4mJ（開(kāi)），220μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：200 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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