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GC11N65T

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數量：: 1151
說明：: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

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GC11N65T PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：TO-220-3
封裝/外殼：TO-220
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：78W（Tc）
頻率 - 開關：-
電流 - 輸出：901 pF @ 50 V
電壓 - 輸出（最大值）：±30V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：21 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：4V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：360 毫歐 @ 5.5A，10V
輸出數：10V
輸出類型：11A（Tc）
拓撲：650 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

以上是GC11N65T的詳細信息，包括GC11N65T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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