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GBU803H

廠家:
  Taiwan Semiconductor Corporation
封裝:
 4-ESIP,GBU
數量:
 5814  
說明:
 DIODE BRIDGE 8A 200V GBU
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GBU803H-4-ESIP,GBU圖片

GBU803H PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝:GBU
封裝/外殼:4-ESIP,GBU
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 200 V
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8 A
電壓 - 峰值反向(最大值):200 V
技術:標準
二極管類型:Single Phase
產品狀態:在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:管件
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation

以上是GBU803H的詳細信息,包括GBU803H廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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