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中文參數如下：
工廠包裝數量：10
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Bulk
封裝形式：SOT-227
最大工作溫度：+ 150 C
柵極—射極漏泄電流：0.5 mA
在25 C的連續集電極電流：100 A
集電極—射極飽和電壓：2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor
以上是GA100XCP12-227的詳細信息，包括GA100XCP12-227廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
