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GA08JT17-247

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: TO-247AB
數(shù)量：: 4140
說明：: MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A

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GA08JT17-247 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：73 ns
上升時間：28 ns
功率耗散：91 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：500 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
RoHS：是
制造商：GeneSiC Semiconductor

以上是GA08JT17-247的詳細信息，包括GA08JT17-247廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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