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FZT649_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-223
數量:
 1467  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation
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FZT649_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:2 W
集電極連續電流:3 A
封裝形式:SOT-223
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:70
增益帶寬產品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:3 A
集電極—射極飽和電壓:25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V
集電極—基極電壓 VCBO:35 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FZT649_Q的詳細信息,包括FZT649_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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