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中文參數如下： 包裝形式：Box 最小工作溫度：- 55 C 最大功率耗散：1000 mW 直流電流增益 hFE 最大值：50 at 10 mA at 10 V 封裝形式：TO-92 安裝風格：Through Hole 最大工作溫度：+ 150 C 直流集電極/Base Gain hfe Min：50 at 10 mA at 10 V, 50 at 50 mA at 10 V 增益帶寬產品fT：75 MHz 最大直流電集電極電流：0.5 A 發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：300 V 集電極—基極電壓 VCBO：300 V 晶體管極性：PNP 配置：Single RoHS：否 制造商：Diodes Inc.
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