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FSB649_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SSOT-3
數量：
 3006  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation
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FSB649_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
集電極連續電流：3 A
封裝形式：SSOT-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70 at 50 mA at 2 V
最大直流電集電極電流：3 A
集電極—射極飽和電壓：25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：35 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FSB649_Q的詳細信息，包括FSB649_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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