色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FS225R12OE4BOSA1

FS225R12OE4BOSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 6070
說明：: IGBT MOD 1200V 350A 1250W

一、本商品被瀏覽0次.

FS225R12OE4BOSA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 125°C
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：13 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：3 mA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，225A
功率 - 最大值：1250 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：350 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：全橋反相器
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：EconoPACK?+
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是FS225R12OE4BOSA1的詳細(xì)信息，包括FS225R12OE4BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FP150R12KT4PBPSA1

FP150R12KT4BPSA1

FS150R12KT4B9BOSA1

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

FS150R12PT4BOSA1

FP75R12KT3BOSA1

IFF300B12ME4PB11BPSA1