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FQU5N20LTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 IPAK
數(shù)量:
 3519  
說明:
 MOSFET
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FQU5N20LTU-IPAK圖片

FQU5N20LTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns
上升時間:90 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:50 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQU5N20LTU的詳細信息,包括FQU5N20LTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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