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FQP55N06

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 1206  
說明:
 MOSFET
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FQP55N06-TO-220-3圖片

FQP55N06 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:60 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:130 ns
功率耗散:133 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:75 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流:55 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQP55N06的詳細信息,包括FQP55N06廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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