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FQP3N80C

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 1374  
說(shuō)明:
 MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
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FQP3N80C-TO-220-3圖片

FQP3N80C PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:FQP3N80C_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22.5 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:43.5 ns
功率耗散:107 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3 S
下降時(shí)間:32 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):4.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQP3N80C的詳細(xì)信息,包括FQP3N80C廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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