色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQI9N25CTU

FQI9N25CTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 162
說明：: MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series

一、本商品被瀏覽0次.

FQI9N25CTU PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FQI9N25CTU_NL
典型關閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：85 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.43 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI9N25CTU的詳細信息，包括FQI9N25CTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：