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FQI6N90TU

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 I2PAK
數量：
 2610  
說明：
 MOSFET
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FQI6N90TU-I2PAK圖片

FQI6N90TU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：95 ns
上升時間：80 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：55 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.9 Ohms
漏極連續電流：5.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI6N90TU的詳細信息，包括FQI6N90TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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