色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="cyeay"></strike>

<button id="cyeay"></button>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQI2N30TU

FQI2N30TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數量：: 8739
說明：: MOSFET 300V N-Channel QFET

一、本商品被瀏覽0次.

FQI2N30TU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：5.5 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：26 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.24 S
下降時間：21 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.7 Ohms
漏極連續電流：2.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI2N30TU的詳細信息，包括FQI2N30TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：