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FQI19N10TU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK
數(shù)量:
 2421  
說明:
 MOSFET
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FQI19N10TU-I2PAK圖片

FQI19N10TU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
上升時(shí)間:150 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:165 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:I2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流:19 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQI19N10TU的詳細(xì)信息,包括FQI19N10TU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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