色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQI13N06TU

FQI13N06TU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: I2PAK
數量：: 8631
說明：: MOSFET 60V N-Channel QFET

一、本商品被瀏覽0次.

FQI13N06TU PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：8 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：25 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5.1 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.105 Ohms
漏極連續電流：13 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQI13N06TU的詳細信息，包括FQI13N06TU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：