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FQD630TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: DPAK
數量：: 8091
說明：: MOSFET 200V N-Ch QFET

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FQD630TM PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：47 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：75 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：64 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.4 Ohms
漏極連續電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD630TM的詳細信息，包括FQD630TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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