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FQD4N20TF

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 7749
說明：: MOSFET 200V N-Ch QFET

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FQD4N20TF-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FQD4N20TF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：7 ns
工廠包裝數量：2000
上升時間：50 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.4 Ohms
漏極連續電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD4N20TF的詳細信息，包括FQD4N20TF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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