FQD2N80TM_WS

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 7506
說明：: MOSFET 800V N-Channel QFET

一、本商品被瀏覽0次.

FQD2N80TM_WS-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FQD2N80TM_WS PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：30 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：28 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD2N80TM_WS的詳細(xì)信息，包括FQD2N80TM_WS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：