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首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQD1N80TM

FQD1N80TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252AA
數量：: 7254
說明：: MOSFET Power MOSFET

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FQD1N80TM-TO-252AA圖片

FQD1N80TM PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FQD1N80TM_NL
典型關閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：25 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：0.75 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 Ohms
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD1N80TM的詳細信息，包括FQD1N80TM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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