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FQB85N06TM_AM002

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 6570
說明：: MOSFET 60V N-Channel QFET

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FQB85N06TM_AM002 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：175 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：230 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：170 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB85N06TM_AM002的詳細(xì)信息，包括FQB85N06TM_AM002廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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