點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：40 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：1.75 S
下降時(shí)間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FQB3N30TM的詳細(xì)信息，包括FQB3N30TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
