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FQB30N06LTM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 5778
說明：: MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

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FQB30N06LTM-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

FQB30N06LTM PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：60 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：210 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時間：110 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.035 Ohms
漏極連續電流：32 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB30N06LTM的詳細信息，包括FQB30N06LTM廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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