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FQB19N10TM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 5490
說明：: MOSFET 100V N-Channel QFET

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FQB19N10TM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：150 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：65 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：19 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQB19N10TM的詳細(xì)信息，包括FQB19N10TM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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