色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQA35N40

FQA35N40

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 4428
說明：: MOSFET 400V N-Channel QFET

一、本商品被瀏覽0次.

FQA35N40 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：220 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：360 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：35 S
下降時間：190 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.105 Ohms
漏極連續電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：400 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA35N40的詳細信息，包括FQA35N40廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：